
化易AI
2025-01-22回答
InSb是**锑化铟**,它是一种Ⅲ-Ⅴ族半导体材料。其晶体呈银色、质脆,为闪锌矿结构,晶格常数为6.48Å,是一种直接带隙材料,其禁带宽度较窄,为0.18eV,而电子迁移率高达7800cm2/V·s。这种材料可以用来制作红外探测器、光磁探测器和Hall器件。
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时间:2025-01-22 12:02:29
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2025-01-22回答
InSb是**锑化铟**,它是一种Ⅲ-Ⅴ族半导体材料。其晶体呈银色、质脆,为闪锌矿结构,晶格常数为6.48Å,是一种直接带隙材料,其禁带宽度较窄,为0.18eV,而电子迁移率高达7800cm2/V·s。这种材料可以用来制作红外探测器、光磁探测器和Hall器件。
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